FeldeffekttransistorenDer vorliegende Band der Buchreihe "Halbleiter-Elektronik" behan delt Feldeffekttransistoren. Diese Gruppe von Bauelementen besitzt eine Reihe von speziellen Eigenschaften, die eine gesonderte Darstel lung rechtfertigen. Der Text ist so abgefaBt, daB er flir sich verstandlich ist. Dem Leser sei jedoch empfohlen, sich mit dem Stoff des Bandes 1 ("Grund lagen der Halbleiter-Elektronik") vertraut zu machen. Einzelprobleme werden nur so weit behandelt, wie sie flir die vorliegende Darstellung erforderlich sind. Darliber hinaus wird auf die Literatur verwiesen. Ziel auch dieses Bandes ist, den Leser in das Fachgebiet einzu flihren und ihm eine flir ein Weiterstudium ausreichende Kenntnis des Teilkomplexes "Feldeffekttransistoren" zu vermitteln. Die Behandlung der Grundlagen steht damit im Vordergrund, das breite Gebiet des Schaltungseinsatzes der Bauelemente wird nur kurz gestreift. Meinen Mitarbeitern darf ich flir eine Reihe von Hinweisen und das Lesen der Korrektur herzlich danken. Der Dank gilt auch Frau Sievers flir das Schreiben des Manuskripts. Aachen, im August 1973 Heinz Beneking 5 I nhaltsverzeich nis Besondere Bezeichnungen und Begriffe . * * * . . * . * * . * ** . . 9 * Einleitung **....**. * . * * . . . * * . . . . * . * ** * * 11 * . . 1. Ubersicht tiber die verschiedenen Arten von Feldeffekttr- sistoren ..... . 13 1.1. Einftihrung. . * . . . . * * * . * * * . * . . * * . . .* * . 13 . . . * 1. 2. Feldeffekttransistoren mit Steuerung tiber gesperrte Diode * . * * * . . . . * . . * * * . * . . . . * * * .. . * 25 * * . * . |
Contents
Besondere Bezeichnungen und Begriffe | 9 |
Grundstrukturen und ihre Wirkungsweise | 32 |
Verfeinerte Theorie | 75 |
Copyright | |
7 other sections not shown
Common terms and phrases
1/f-Rauschen Abschn Änderung Anreicherungstyp Anschluß Austrittsarbeit Bauelementen bedingt Bipolartransistor BipT characteristics devices Diffusionsspannung Dotierung Drain Drain-Kontakt Drain-Strom Driftsättigung Effekte Eigenschaften Einfluß elektrischen entsprechend Ersatzschaltbild Fall Feldeffekttransistoren Feldstärke field-effect transistor GaAs Gate Gate-Elektrode gemäß gilt groß GS DS Halbleiter Halbleiteroberfläche hohen Frequenzen IDSS IEEE IEEE Trans IGFET Inversion Ionenimplantation Isolator Isolatorschicht JFET Kanalbereich Kanalladung Kapazitäten Kennlinien Ladungen längs des Kanals läßt lich Metall MIS-Struktur möglich MOS transistors MOSFET muß n-Kanal n-Kanal-Typ Näherung niedrigen Oberfläche Oberflächenzustände p-Material parasitäre Phys pn-Verbindung Popt Proc Raumladungszone Rauschen Rauschzahl relativ Sättigungsbereich Sättigungsgebiet Schaltung Schaltverhalten schließlich Schwellspannung semiconductor Shockley siehe Text silicon Silizium SiO2 Solid State Electron Source Spannung statischen Steilheit Steuerspannung Steuerstrecke Steuerung Strom Struktur Substrat surface tatsächliche technologisch Temperaturabhängigkeit Temperaturen Tetrode Theorie thermische transistors tritt UDSS UGS Uth UGSP Uth-UGS Verarmungstyp vorliegende Wert wesentlich zeigt