Bewertung neuartiger metallorganischer Precursoren für die chemische Gasphasenabscheidung von Kupfer für Metallisierungssysteme der Mikroelektronik

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GRIN Verlag, 2008 - 104 pages
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Diplomarbeit aus dem Jahr 2004 im Fachbereich Elektrotechnik, Note: 1,3, Technische Universitat Chemnitz (Fakultat fur Elektrotechnik und Informationstechnik, Zentrum fur Mikrotechnologien), 87 Quellen im Literaturverzeichnis, Sprache: Deutsch, Abstract: Vor dem Hintergrund der in der Mikroelektronik-Fertigung heute verbreiteten Kupfertechnologie werden in der vorliegenden Arbeit drei neuartige metallorganische Verbindungen, namlich phosphitstabilisierte Kupfer(I)-Trifluoracetat-Komplexe vorgestellt und hinsichtlich ihrer Anwendbarkeit fur die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) von Kupfer untersucht. Im einzelnen handelt es ich um die Substanzen Tris(trimethylphosphit)kupfer(I)trifluoracetat (METFA), Tris(triethylphosphit)kupfer(I)trifluoracetat (ETTFA) und Tri(tris(trifluorethyl)phosphit)kupfer(I)trifluoracetat (CFTFA). Mit den Substanzen erfolgen CVD-Experimente auf TiN und Cu bei Temperaturen
 

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Contents

Verzeichnis der Abkürzungen und Symbole
3
Tabellenverzeichnis
10
CupraSelectTM
55
Atomlagenabscheidung ALD
68
Zusammenfassung
81
Literaturverzeichnis
89
Copyright

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Common terms and phrases

90 nm dicke abgeschieden Abscheidekammer Abscheideprozesse Abscheidetemperatur Abscheideversuche Abscheidung mit CFTFA abzuscheiden Acetonitril Agglomeration Anlage Varian Gartek Argon Atomic Layer Atomlagenabscheidung Außerdem Bedeckungsgrad beispielsweise Besonders Bild Bildung Bruchkante Chemical Vapor Deposition chemische Gasphasenabscheidung CupraSelectTM CVD-Anlage Varian Gartek CVD-Experimente CVD-Prozesse Dampfdruck Dielektrikum dünne durchgeführt EDX-Analyse EDX-Spektrum Einfluss elektrische Widerstand entsprechende erfolgten erhalten erzeugt ETTFA ETTFA-Acetonitril-Gemisch Fall Film Flüssigdosiersystem Gasphase geringe Abscheiderate geschlossene Kupferschichten gesputtertem Kupfer Halbleiterindustrie hohen Keimbildung Keimschicht konform konnte Körner Kupfer Kupferabscheidung Kupferkeimschicht Kupferkörner Kupferschicht auf TiN Kupferstartschicht Lösungsmittel Metallisierungssysteme metallorganische METFA mg/min Mikroelektronik MOCVD möglich Nanometer Neustoffe Neutralligand nm/min Oberfläche Precursor Precursorfluss Proben Prozess Prozesskammer Prozessparameter Prozesstemperatur Prozesszeit Quellsubstanzen Rasterelektronenmikroskopische Rauigkeit Reaktanden Reaktion Reaktor Reduktionsmittel reines Kupfer REM-Aufnahme Rohrreaktor sccm Schichtbildung Schichtdicke Schichtwiderstand Siliziumoxid sowie spezifischen Widerstand Startschicht Substanz Substrat Substratoberfläche Tabelle Temperatur Thermogravimetrische Thermogravimetrische Analyse Titannitrid TMVS)Cu(hfac Trägergas Tris(triethylphosphit)kupfer(I)trifluoracetat untersuchten Vakuum Verdampfer Verfahren Versuchsreaktor verwendet Viskosität Wafer Wafertemperatur Wasserstoff Wert wobei zeigt Zersetzungsreaktion zugeführt zusätzlich

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