Flip Chip Bonden - Umstellung auf bleifreie Lotmaterialien

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GRIN Verlag, Mar 28, 2008 - Technology & Engineering - 65 pages
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Studienarbeit aus dem Jahr 2006 im Fachbereich Elektrotechnik, Note: 1,0, Fachhochschule Lausitz in Cottbus (IEM), Veranstaltung: Mikrosystemtechnik, 20 Quellen im Literaturverzeichnis, Sprache: Deutsch, Abstract: Die Hauptaufgabe der Verbindungstechnologien ist es, einzelne Komponenten und Teilsysteme in einem funktionsorientierten elektronischen Gesamtsystem zu vereinigen. Das Packaging ist heute maßgeblich verantwortlich für die Funktionalität, Qualität und Wirtschaftlichkeit von mikroelektronischen Standardprodukten. Damit bestimmen insbesondere die verwendete Technologie, die Materialauswahl und der Aufbau des Systems, die Größe, das Gewicht, die Leistungsfähigkeit, die Handhabbarkeit, die Zuverlässigkeit und zuletzt auch den Marktpreis des entsprechenden Produktes. Diese Parameter beeinflußen endscheidend den Markterfolg. Ein weiterer entscheidender Einflußfaktor für die Neu- und Weiterentwicklung des Packaging ist die dynamische Entwicklung in der Halbleiter- Technologie. In dieser Studienarbeit soll weiterhin die Umstellung von bleihaltigem auf bleifreies Lot implementiert werden. Für die Hersteller von elektronischen Komponenten bricht ab Mitte 2006 eine neue Ära an, denn mit Wirkung zum 01. Juli 2006 treten die neuen EU Richtlinien 2002/95/EG (Verordnung über die Beschränkung der Verwendung bestimmter gefährlicher Stoffe in Elektro- und Elektronikgeräten) und 2002/96/EG (Verordnung über Elektro- und Elektronik-Altgeräte) in Kraft. Diese Richtlinien verbieten das Neuinverkehrbringen von Geräten die giftige Metalle, wie Blei, Quecksilber, Cadmium, sechswertiges Chrom oder bromierte Flammschutzmittel, enthalten.
 

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abgeschieden Abscheiden von Ni/Au Abscheidungsversuche Abschertest Aluminium Aluplatten Alustäben aufgebracht Ausrichtung Bauelemente beachten Belichtung beziehungsweise Bleifreie Lotpaste bleifreiem Lot bleihaltigem Lot Bump Diameter µm Bumps Bungard chemische Chip Chips Dispensen dispensende Pad Dispensvorgang Drahtbonden Drain n-Kanal Verarmungs-MOS-Transistor eingestellt einzelne Platine elektrischen elektrochemischen Spannungsreihe elektronischen entsprechenden erfolgt Erste zu dispensende experimentell Flip Flip-Chip Flip-Chip-Prozess Flussmittel folgenden Fotomaske Gate n-Kanal Verarmungs-MOS-Transistor geflippten gewährleisten Grundlegende Verwendungseigenschaften Halbleiter hohe Infineon Technologies Integrierter Schaltkreis Justage Justiermarken Kapitel Kathode n-Kanal Kondensator Kontaktierung Kupfer Layout Legierungen Leiterplatte Lotpaste Lötstopplack Lötverbindung manuell Masterthesis mechanische Messwerte Ergebnis Metalle Mikrosystemtechnik mittels muss n-Kanal Ringdiode Nachteile Nadelinnendurchmesser Nickel Nickelbad normal dotierter Widerstand Nullpunkt Nutzen Ofen Offset optimalen Packaging Paste Platine Positionierung Preheating Prozess realisiert Reflow-Ofen Rückholdruck Schmelzpunkt schwach dotierter Widerstand Silizium Soldering Source n-Kanal Verarmungs-MOS-Transistor sowie Spritzspülen 00:10 Bad Standspülen 01:00 Stromloses nasschemisches Abscheiden Studienarbeit Substrat Temperatur Verfügung Versuch Verwendete Tools Verwendung Vorteil Wafer Zeile Zinkatbeize

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