GaInN/GaN LEDs auf semipolaren Seitenfacetten mittels selektiver Epitaxie hergestellter GaN-Streifen

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Cuvillier Verlag, 2008 - 155 pages
 

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Contents

Einleitung
1
GaInNLeuchtdioden
23
Epitaxie
31
Herstellung und Prozessierung von GaInNLEDs
55
GaInNLEDs auf semipolaren Seitenfacetten
69
Zusammenfassung
119
B Notation der Klammersymbole
127
Literaturverzeichnis
135
Vorveroffentlichungen
147
Copyright

Common terms and phrases

Abh¨angigkeit abnehmenden F¨ullfaktor Abscheidung aktiven Bereich Appl aufgrund Ausgangsleistung Bandabstand Bandl¨ucke beschrieben betr¨agt Br¨uckner d¨unner deutlich Dicke durchgef¨uhrt Effizienz Einfluss Elektrolumineszenz Elektronen Emission Emissionswellenl¨ange engl erh¨oht f¨uhrt F¨ullfaktor f¨ur Feld Feneberg Fotolack Fremdsubstrate GaAs GaInN GaN-Schicht gegen¨uber Gitterkonstanten gr¨oßer growth Gruppe-III-Nitride h¨angt h¨oheren In-Anteil Halbleiter Heterostrukturen hohen HVPE In-Gehalt k¨onnen k¨urzer Kristall Kristallabscheidung Kristallrichtung l¨angerwellige l¨aßt L¨ocher Ladungstr¨ager laterales LED-Strukturen LEDs Leitf¨ahigkeit Lett Leuchtdioden lokale Abscheiderate m¨oglich Messungen Mg-dotierte Molekularstrahlepitaxie MOVPE Neubert niedrigen Nitride Oberfl¨ache Optoelektronik orientierten Streifen p-dotierten Schicht Phys Piezo piezoelektrische Polarit¨at Prozessierung Quantenfilmdicke Quantenfilme Quantisierung reduzierte Piezofeld Referenz-LED Referenzprobe Rekombination Rotverschiebung Schichtdicke Scholz schr¨agen Seitenfacetten seitlichen Facetten selectively grown selektiv abgeschiedenen selektive Epitaxie semipolaren Kristallebenen semipolaren LEDs spontane Polarisation Stabilit¨at stark Stickstoff strahlende Rekombination Streifen mit trapezf¨ormigen stripes Substrat TEGa Temperatur Tensor thermisch TMGa Top-Facette trapezf¨ormigen Querschnitt Universit¨at Ulm unterschiedlichen Verf¨ugung Verformung Verh¨altnis Verspannung verwendet vollst¨andig w¨ahrend Wachstum zeigt zun¨achst

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