Integrierte, hocheffiziente Leistungselektronik auf der Basis von Galliumnitrid - GaNIAL; Einzelvorhaben: Monolitisch integrierte, schnell schaltende Galliumnitrid Leistungsbauelemente: öffentlicher Abschlussbericht : Laufzeit: 01.10.2016-31.12.2019

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Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik (IAF), 2020

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TitleIntegrierte, hocheffiziente Leistungselektronik auf der Basis von Galliumnitrid - GaNIAL; Einzelvorhaben: Monolitisch integrierte, schnell schaltende Galliumnitrid Leistungsbauelemente: öffentlicher Abschlussbericht : Laufzeit: 01.10.2016-31.12.2019
AuthorsStefan Moench, Richard Reiner, Heiko Czap, Stefan Müller, Joachim Rüster, Lutz Kirste, Dirk Meder
ContributorsPatrick Waltereit, Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik
PublisherFraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik (IAF), 2020
  
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